Verfahren zur Herstellung von auf dem magnetoresistiven Tunnel-Effekt basierten Direktzugriffspeicher
EP1251570
Art A3
30. Mai 2007
Anmelder: NEC Electronics Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1251570
- Aktenzeichen
- EP02008512
- Anmeldetag
- 15. April 2002
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L43/08H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Electronics Corporation
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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Kanzlei
Splanemann Patentanwälte
München, Deutschland
1873 in Berlin gegründet und damit eine der ältesten Patentanwaltskanzleien Deutschlands, heute in München ansässig. Berät Großkonzerne, mittelständische Unternehmen und Körperschaften öffentlichen Rechts in Elektrotechnik, Informatik, Elektronik und Chemie.
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