Mos-Feldeffekttransistoranordnung
EP1252657
Art A1
30. Oktober 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1252657
- Aktenzeichen
- EP01913571
- Anmeldetag
- 2. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/092H01L21/336H01L29/786H01L29/423H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
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