Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterfilms aus Cu (In, Ga) (Se,S)2
EP1255305
Art A3
22. September 2004
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1255305
- Aktenzeichen
- EP02251883
- Anmeldetag
- 15. März 2002
- Veröffentlichung
- 22. September 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Vertreten von
Waldren, Robin Michael
London, Großbritannien
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