Leistungs-MOSFET-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

EP1261036 Art A3 28. Juli 2004

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1261036
Aktenzeichen
EP02011514
Anmeldetag
22. Mai 2002
Veröffentlichung
28. Juli 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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