Verfahren zur Herstellung von Rutheniumschichten

EP1261754 Art A2 4. Dezember 2002

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1261754
Aktenzeichen: EP01924128
Anmeldetag: 8. März 2001
Veröffentlichung: 4. Dezember 2002
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/18C23C16/40C23C16/16H01L21/768H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von