Fet- und Hemt-Strukturen auf Basis von Nitriden der Gruppe Iii mit Reduziertem Ladungseinfang und Methode zu deren Herstellung

EP1261988 Art B1 21. September 2011

Anmelder: Cree, Inc., The Regents of the University of California, CREE, INC., The Regents of The University of California, CREE RESEARCH, INC., Cree Lighting Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1261988
Aktenzeichen
EP01905364
Anmeldetag
1. Februar 2001
Veröffentlichung
21. September 2011
Erteilung
21. September 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L21/338H01L23/29
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
The Regents of the University of California
CREE, INC.
The Regents of The University of California
CREE RESEARCH, INC.
Cree Lighting Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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🇺🇸 University of California

US-amerikanisches öffentliches Universitätssystem mit zahlreichen Standorten (u.a. Berkeley, Los Angeles, San Diego). Die Regents of the University of California halten die Patente aus Forschung in Biotechnologie, Medizin, Materialwissenschaften und Ingenieurwesen.

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