Verfahren zur Behandlung heteroepitaktischer Halbleiterschichten auf Siliziumsubstraten

EP1263030 Art A3 7. Juli 2004

Anmelder: Forschungszentrum Rossendorf e.V., EADS Deutschland GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1263030
Aktenzeichen: EP02012019
Anmeldetag: 31. Mai 2002
Veröffentlichung: 7. Juli 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Forschungszentrum Rossendorf e.V.
EADS Deutschland GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇫🇷 Airbus

Französisch-europäischer Luft- und Raumfahrtkonzern, entwickelt und produziert zivile Verkehrsflugzeuge, Hubschrauber sowie Raumfahrt- und Verteidigungssysteme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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