Verfahren zur Herstellung der Flachen Übergänge durch Laser-Annealing und Kurzzeittempern
EP1264335
Art A1
11. Dezember 2002
Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc., Ultratech Stepper Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1264335
- Aktenzeichen
- EP01916675
- Anmeldetag
- 15. März 2001
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/268H01L21/265H01L21/324
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
Ultratech Stepper Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.
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Beck, Simon Antony
London, Großbritannien
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