Verfahren zur Herstellung von Source/drain Gebiete mit einem Tiefen Übergang
EP1264337
Art B1
25. Juli 2012
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1264337
- Aktenzeichen
- EP01957615
- Anmeldetag
- 16. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 25. Juli 2012
- Erteilung
- 25. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
Picker, Madeline Margaret
London, Großbritannien
951
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