Verfahren zur Herstellung einer dünnen einkristallinen Siliziumkarbidschicht und Herstellungsgerät
EP1265274
Art A2
11. Dezember 2002
Anmelder: OSAKA PREFECTURE, Hosiden Corporation, Osaka Prefecture 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1265274
- Aktenzeichen
- EP02253783
- Anmeldetag
- 29. Mai 2002
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C30B29/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSAKA PREFECTURE
Hosiden Corporation
Osaka Prefecture - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hosiden
Hosiden ist ein japanischer Hersteller von elektronischen Steckverbindern, Sensoren und Wandlerkomponenten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Nachrichtentechnik, ergänzt durch Software und Optik für Verbindungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.
480 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
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38
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Schwerpunkte