Integrierte Schaltung bestehend mindestens aus einem lateralen MOS-Transistor und Herstellungsverfahren
EP1265277
Art B1
21. Januar 2009
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1265277
- Aktenzeichen
- EP02100676
- Anmeldetag
- 7. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2009
- Erteilung
- 21. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/10H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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