Halbleiterbauelement mit Poren und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1265293 Art A3 31. Mai 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1265293
Aktenzeichen: EP02011123
Anmeldetag: 18. Mai 2002
Veröffentlichung: 31. Mai 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/08H01L29/417H01L29/861H01L29/78H01L29/868H01L31/105H01L21/225H01L21/3063H01L21/329H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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