Schottkydiode aus Siliziumkarbid und Verfahren zur Herstellung
EP1265295
Art A3
12. Mai 2004
Anmelder: Panasonic Corporation, MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1265295
- Aktenzeichen
- EP02012326
- Anmeldetag
- 4. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 12. Mai 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872H01L29/24H01L29/47H01L21/329H01L21/04H01L21/338
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Panasonic Corporation
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Panasonic
Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.
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