Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersubstrats aus einem Gruppe Iii - Nitrid für Epitaktisches Laterales Überwachsen (elo)

EP1267393 Art B1 13. April 2016

Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1267393
Aktenzeichen
EP02012993
Anmeldetag
12. Juni 2002
Veröffentlichung
13. April 2016
Erteilung
13. April 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20C30B25/02C30B25/18C30B29/40
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing München, Deutschland
4.590
Patente gesamt
34
Fachgebiete
21
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff) Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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