Verfahren zur Herstellung einer Siliziumdioxidschicht, Siliziumdioxidschicht, Isolierschicht, Halbleiteranordnung
EP1267395
Art A3
8. Juni 2005
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1267395
- Aktenzeichen
- EP02012824
- Anmeldetag
- 10. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/312H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
1.781 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing
München, Deutschland
4.590
Patente gesamt
34
Fachgebiete
21
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
TBK
TBK · München
-
TBK-Patent
TBK-Patent · München