Zusammengesetzter integrierter Schaltkreis und sein Herstellungsverfahren
EP1267408
Art A3
4. März 2009
Anmelder: National Institute for Materials Science, TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd, Tokyo Institute of Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1267408
- Aktenzeichen
- EP02254099
- Anmeldetag
- 12. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 4. März 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06H01L21/822H01L25/18C30B23/02C30B25/02H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute for Materials Science
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Tokyo Institute of Technology - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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🇯🇵
Tokyo Institute of Technology
Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.
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Vertreten von
Maggs, Michael Norman
London, Großbritannien
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