Symmetrisches Schutzverfahren für Erste und Letzte Sektoren eines Synchronen Flash-Speichers
EP1269474
Art B1
1. September 2010
Anmelder: Round Rock Research, LLC, Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1269474
- Aktenzeichen
- EP01929036
- Anmeldetag
- 30. März 2001
- Veröffentlichung
- 1. September 2010
- Erteilung
- 1. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10G11C16/22G11C7/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Round Rock Research, LLC
Micron Technology, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Sperling, Rüdiger
München, Deutschland
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