Verfahren zur Ätzung von Polysilizium mit einer Verbesserten Homogenität und einer Reduzierten Ätzratevariation
EP1269529
Art B1
28. Juli 2010
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1269529
- Aktenzeichen
- EP01920490
- Anmeldetag
- 16. März 2001
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2010
- Erteilung
- 28. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Shindler, Nigel
Tunbridge Wells, Großbritannien
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