In Situ And Ex Situ Ätzverfahren für Sti und Anwendung zur Herstellung von Oxydkragen
EP1269536
Art A1
2. Januar 2003
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1269536
- Aktenzeichen
- EP01924319
- Anmeldetag
- 22. März 2001
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
1.734
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