Halbleitervorrichtung und DRAM Speicher
EP1271547
Art A1
2. Januar 2003
Anmelder: Innovative Silicon SA, Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1271547
- Aktenzeichen
- EP01810587
- Anmeldetag
- 18. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/404G11C11/403H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Innovative Silicon SA
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) - Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
École Polytechnique Fédérale de Lausanne
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