Herstellungsverfahren für epitaktisch gewachsene Verbindungshalbleitersubstratstruktur auf Nitridbasis und eine entsprechende Substratstruktur

EP1271627 Art A2 2. Januar 2003

Anmelder: NEC Corporation, Hitachi Cable, Ltd., NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1271627
Aktenzeichen: EP02090175
Anmeldetag: 18. Mai 2002
Veröffentlichung: 2. Januar 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
Hitachi Cable, Ltd.
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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