Halbleiteranordnung mit einem Bipolartransistor mit Isoliertem Gate und einer Freilaufdiode
EP1271653
Art B1
29. Juli 2009
Anmelder: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1271653
- Aktenzeichen
- EP01273674
- Anmeldetag
- 2. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2009
- Erteilung
- 29. Juli 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Hofer, Dorothea
München, Deutschland
1.039
Patente gesamt
29
Fachgebiete
8
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Prüfer, Lutz H., Dipl.-Phys
NoneMünchen