Dünnfilm-Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
EP1271656
Art A3
30. März 2005
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., Sharp Kabushiki Kaisha, SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1271656
- Aktenzeichen
- EP02013449
- Anmeldetag
- 13. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 30. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Sharp Kabushiki Kaisha
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
2.412 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
19.779 Patente in unserer Datenbank