Verfahren zum Schneiden mindestens einer Dünnschicht in einem Substrat oder in einem Rohblock, insbesondere aus Halbleitermaterial

EP1273035 Art B1 12. September 2012

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1273035
Aktenzeichen
EP01927984
Anmeldetag
17. April 2001
Veröffentlichung
12. September 2012
Erteilung
12. September 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762B23K26/40
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Vertreten von
Le Forestier, Eric LE FORESTIER CONSEIL Le Chesnay, Frankreich
559
Patente gesamt
33
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Software & Datenverarbeitung Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Zum Anwaltsprofil
Kanzlei
LE FORESTIER CONSEIL Le Chesnay, Frankreich
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