Diode und Verfahren zu deren Herstellung
EP1273045
Art B1
22. September 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1273045
- Aktenzeichen
- EP01927879
- Anmeldetag
- 5. April 2001
- Veröffentlichung
- 22. September 2010
- Erteilung
- 22. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/00H01L29/00// H01L29/417H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Ginzel, Christian
München, Deutschland
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