Herstellungsverfahren einer Halbleiter-Dünnschicht aus Gainn
EP1273049
Art B1
14. September 2011
Anmelder: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1273049
- Aktenzeichen
- EP01923799
- Anmeldetag
- 11. April 2001
- Veröffentlichung
- 14. September 2011
- Erteilung
- 14. September 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L33/06H01L33/08H01L33/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Fachgebiete
Vertreten von
Jacquard, Philippe Jean-Luc
Paris, Frankreich
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Audier, Philippe André
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