Methode, die Haftung einer Deckschicht auf einem Porösen Material zu Verbessern
EP1275140
Art A2
15. Januar 2003
Anmelder: NXP B.V., Philips Semiconductor, Inc., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1275140
- Aktenzeichen
- EP01918837
- Anmeldetag
- 20. März 2001
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Philips Semiconductor, Inc.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Duijvestijn, Adrianus Johannes
NoneEindhoven