Substrat mit breitem Bereich mit niedriger Fehlerdichte für Halbleiterelement

EP1276140 Art A3 24. Oktober 2007

Anmelder: FUJIFILM Corporation, Fuji Photo Film Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1276140
Aktenzeichen: EP02014735
Anmeldetag: 3. Juli 2002
Veröffentlichung: 24. Oktober 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUJIFILM Corporation
Fuji Photo Film Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

12.204 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, ursprünglich als Fuji Photo Film gegründet, heute aktiv in Fotografie, Bildgebung, medizinischer Diagnostik und Spezialchemie.

1.748 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von