Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Gebondeten Dielektrischen Trennungswafers

EP1278245 Art B1 3. März 2010

Anmelder: SUMCO CORPORATION, Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation, Mitsubishi Materials Silicon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1278245
Aktenzeichen: EP01908349
Anmeldetag: 5. März 2001
Veröffentlichung: 3. März 2010
Erteilung: 3. März 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/68H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SUMCO CORPORATION
Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation
Mitsubishi Materials Silicon Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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