Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors
EP1279191
Art B1
5. Juli 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1279191
- Aktenzeichen
- EP01943320
- Anmeldetag
- 4. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2006
- Erteilung
- 5. Juli 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Ginzel, Christian
München, Deutschland
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