Schottkydiode und Verfahren zur Herstellung einer Schottkydiode

EP1280210 Art A3 6. April 2005

Anmelder: SANYO ELECTRIC CO., LTD., Sanyo Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1280210
Aktenzeichen: EP02017079
Anmeldetag: 29. Juli 2002
Veröffentlichung: 6. April 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/872H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: SANYO ELECTRIC CO., LTD.
Sanyo Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

1.709 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von