Hochselektives Ätzverfahren für einen Selbstjustierten Kontakt
EP1281193
Art A2
5. Februar 2003
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1281193
- Aktenzeichen
- EP01930027
- Anmeldetag
- 10. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 5. Februar 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München