Übergangsfeldeffekttransistor und Seine Herstellungsmethode
EP1284496
Art B1
17. November 2010
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1284496
- Aktenzeichen
- EP00957106
- Anmeldetag
- 11. September 2000
- Veröffentlichung
- 17. November 2010
- Erteilung
- 17. November 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/337H01L21/338H01L27/095H01L29/778H01L29/80H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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