Halbleiterwafer für das Testen eines integrierten Schaltkreises während der Herstellung und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP1284499
Art B1
17. Oktober 2012
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1284499
- Aktenzeichen
- EP02255732
- Anmeldetag
- 16. August 2002
- Veröffentlichung
- 17. Oktober 2012
- Erteilung
- 17. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L23/544H01L21/8244// H01L27/11
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Jehle, Volker Armin
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