Verfahren und Gerät zur Ionenimplantierung mit hoher Abrasterungseffizienz
EP1285456
Art A2
26. Februar 2003
Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1285456
- Aktenzeichen
- EP01935529
- Anmeldetag
- 15. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 26. Februar 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01J37/317H01J37/147
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.
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Vertreten von
Beck, Simon Antony
London, Großbritannien
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