Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement, dessen Herstellungsverfahren und dessen Betriebsart

EP1289023 Art A3 14. November 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1289023
Aktenzeichen: EP02019493
Anmeldetag: 30. August 2002
Veröffentlichung: 14. November 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/788H01L21/336H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von