Verfahren zur Herstellung einer Schicht in einem Integrierten Schaltkreis mit Feinen und Breiten Strukturen
EP1290498
Art B1
17. März 2004
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1290498
- Aktenzeichen
- EP01945431
- Anmeldetag
- 14. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 17. März 2004
- Erteilung
- 17. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
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