Verfahren zur Abscheidung einer Ausgewählten Schichtdicke eines Dielektrischen Zwischenschichtmaterials, um Optimale Globale Planarität auf einem Halbleiterwafer zu Erzielen
EP1290722
Art A2
12. März 2003
Anmelder: ATMEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1290722
- Aktenzeichen
- EP01930596
- Anmeldetag
- 18. April 2001
- Veröffentlichung
- 12. März 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/3105H01L21/768H01L21/318
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ATMEL CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Atmel
Atmel war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller für Mikrocontroller und wurde 2016 von Microchip Technology übernommen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Elektronik. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2021.
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Vertreten von
Käck, Jürgen
Landsberg am Lech, Deutschland
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