Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit einem Floating Gate
EP1290732
Art B1
29. September 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1290732
- Aktenzeichen
- EP01936434
- Anmeldetag
- 6. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 29. September 2010
- Erteilung
- 29. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wilhelm, Jürgen
München, Deutschland
35
Patente gesamt
18
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte