GaN-Substrat, das auf einer feinen diskreten Löcher aufweisenden GaN-Schicht gebildet wurde, die durch selektives Wachstum hergestellt worden ist

EP1291904 Art A3 7. Oktober 2009

Anmelder: FUJIFILM Corporation, Fuji Photo Film Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1291904
Aktenzeichen: EP02019861
Anmeldetag: 9. September 2002
Veröffentlichung: 7. Oktober 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUJIFILM Corporation
Fuji Photo Film Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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