Kontaktstruktur auf einem in einem Halbleitersubstrat gebildeten tiefen Gebiet
EP1291922
Art A1
12. März 2003
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1291922
- Aktenzeichen
- EP02354133
- Anmeldetag
- 4. September 2002
- Veröffentlichung
- 12. März 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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