Heteroübergang-Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung
EP1291923
Art B1
17. September 2008
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1291923
- Aktenzeichen
- EP02020240
- Anmeldetag
- 10. September 2002
- Veröffentlichung
- 17. September 2008
- Erteilung
- 17. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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