Halbleiterspeicher mit Segmentierter Zeilenreparatur
EP1292952
Art B8
5. August 2009
Anmelder: Mosaid Technologies Incorporated, Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇨🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1292952
- Aktenzeichen
- EP01942036
- Anmeldetag
- 7. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 5. August 2009
- Erteilung
- 5. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mosaid Technologies Incorporated
Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇨🇦 Kanada
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Lamb, Martin John Carstairs
London, Großbritannien
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