Verfahren zur Herstellung von Substraten und Dadurch Hergestellte Substrate

EP1292975 Art B1 21. März 2007

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1292975
Aktenzeichen
EP01945456
Anmeldetag
15. Juni 2001
Veröffentlichung
21. März 2007
Erteilung
21. März 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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