Verfahren zur Herstellung von Rauhen Schichten aus Ruthenium und deren Strukturen und Verwendungen

EP1292992 Art A2 19. März 2003

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1292992
Aktenzeichen: EP01944651
Anmeldetag: 7. Juni 2001
Veröffentlichung: 19. März 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/92

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von