Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur unter Verwendung einer Schutzschicht
EP1294019
Art B1
27. April 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1294019
- Aktenzeichen
- EP02018589
- Anmeldetag
- 19. August 2002
- Veröffentlichung
- 27. April 2005
- Erteilung
- 27. April 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/3105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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