Methode zur Regulierung der Schwellwertspannungen von ultra-dünnen SOI MOS Transistoren

EP1294026 Art A3 30. März 2005

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1294026
Aktenzeichen: EP02019657
Anmeldetag: 3. September 2002
Veröffentlichung: 30. März 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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