Verfahren zur Entfernung von Photoresist nach einer Ätzung unter Verwendung von Wasserstoff
EP1295315
Art A2
26. März 2003
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1295315
- Aktenzeichen
- EP01950303
- Anmeldetag
- 13. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 26. März 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- LAM RESEARCH CORPORATION
LAM Research Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
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