Silizium-Bipolartransistor, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Bipolartransistors
EP1295326
Art A1
26. März 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1295326
- Aktenzeichen
- EP01949264
- Anmeldetag
- 15. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 26. März 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/737H01L29/732
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Dokter, Eric-Michael
München, Deutschland
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