Halbleitervorrichtung mit porösem isolierendem Material und Herstellungsverfahren
EP1296368
Art B1
18. Dezember 2013
Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited, Fujitsu Microelectronics Limited, FUJITSU LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1296368
- Aktenzeichen
- EP02252253
- Anmeldetag
- 27. März 2002
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2013
- Erteilung
- 18. Dezember 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fujitsu Semiconductor Limited
Fujitsu Microelectronics Limited
FUJITSU LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujitsu
Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.
8.705 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fenlon, Christine Lesley
London, Großbritannien
1.693
Patente gesamt
33
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Silverman, Warren
NoneLondon